反応速度と活性化エネルギー

つまり「反応するには壁を越える必要がある」

反応物 → 遷移状態（エネルギーが最も高い点）→ 生成物

この遷移状態のエネルギーの壁 = 活性化エネルギー Ea

壁が低いほど反応しやすい。

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速度式

$v = k[\text{A}]^m[\text{B}]^n$

k = 速度定数（温度依存）

m、n = 反応次数（実験で決める）

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アレニウス式

$k = A \cdot e^{-E_a/RT}$

温度Tが上がる → e^(−Ea/RT) が大きくなる → k が大きくなる → 速くなる

温度を10°C上げると反応速度が約2倍になる（目安）。

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触媒のしくみ

触媒 = 別の反応経路を提供 → 活性化エネルギーを下げる

• ΔH（反応熱）は変えない
• 平衡は動かさない
• 消費されない

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まとめ

• v = k[A]^m（速度式）
• アレニウス式：k = Ae^(-Ea/RT)
• 触媒：Eaを下げる・ΔHは変えない
• 触媒は平衡を動かさない（速度だけ）